1954年1月，塔尼巴恩在贝尔实验室研制出了第一个可以工作的硅半导体。这个工作在1954年春季的固态设备大会上被报道，随后在应用物理学报（
Journal of Applied Physics, 26, 686-691(1955)）上发表。
戈登·蒂尔在1954年2月也独立研制出了第一个商用硅晶体管并在1954年2月14日对它进行了测试。1954年5月10日，在俄亥俄州的代顿举行的无线电工程师学会（Institute of Radio Engineers, IRE）国家航空电子大会上上，蒂尔正式对外界公布了他的成就，宣称“与同事告诉你的关于硅晶体管的严峻前景相反，我却恰好能把这些东西装在我的口袋里。（Contrary to what my colleagues have told you about the bleak prospects for silicon transistors, I happen to have a few of them here in my pocket.）”，并在大会期间发表了一篇题为《近期硅锗材料和设备的发展》（Some Recent Developments in Silicon and Germanium Materials and Devices）的论文。
在这一点上，德州仪器成为了当时唯一一个大批量生产硅晶体管的公司。随后在1955年，利用固态杂质扩散的扩散型晶体管被发明。不过，当时硅管的价格比锗管昂贵得多。